Компания Samsung представила новое поколение ОЗУ LPDDR5X с пропускной способностью памяти 10,7 Гбит/с. Новое поколение на 25% быстрее первого поколения LPDDR5X от Samsung и направлено на улучшение производительности искусственного интеллекта для мобильных устройств с возможностями локального аппаратного ускоренного нейронного обработчика. Samsung заявила, что массовое производство новой памяти LPDDR5X начнется во второй половине 2024 года.
Новая мобильная память LPDDR5X 10,7 Гбит/с от Samsung является самой быстрой версией стандарта DDR5 малого профиля на сегодняшний день. Она быстрее первого поколения LPDDR5X от Samsung, которая достигала до 8533 МТ/с (8,5 Гбит/с), и быстрее LPDDR5X от Micron на 9,6 Гбит/с. Как минимум на бумаге, единственная другая архитектура памяти, способная достичь аналогичных скоростей, — память графических процессоров GDDR5.
Samsung использует собственную технологию производства на 12 нм для создания новых модулей LPDDR5X на 10,7 Гбит/с. Повышенная пропускная способность памяти, предоставляемая модулями LPDDR5X на 10,7 Гбит/с, предназначена для растущей популярности ускорения искусственного интеллекта на устройствах, особенно с использованием NPUs. Работа с искусственным интеллектом может быть очень интенсивной по использованию пропускной способности памяти, и именно здесь дополнительная пропускная способность памяти от Samsung придет на помощь.
“По мере увеличения спроса на энергосберегающую, высокопроизводительную память ожидается расширение области применения LPDDR DRAM от основных мобильных устройств до других сфер, которые традиционно требуют более высокой производительности и надежности, таких как ПК, ускорители, серверы и автомобили”, — сказал Ёнчоль Бэ, исполнительный вице-президент по планированию продукции памяти в Samsung Electronics. “Samsung будет продолжать инновации и предоставлять оптимизированные продукты для предстоящей эры искусственного интеллекта на устройствах через тесное сотрудничество с клиентами”.
Помимо производительности, новые модули LPDDR5X 10,7 Гбит/с от Samsung также на 25% более энергоэффективны, чем их предшественники, благодаря специализированной технологии энергосбережения, которая регулирует потребление энергии в соответствии с требованиями нагрузки. Интервалы работы в режиме энергосбережения также были увеличены, продлевая время, в течение которого новая память LPDDR5X от Samsung остается в режиме энергосбережения. Емкость также увеличена до 32 ГБ на модуль — на 30% больше, чем у модулей предыдущего поколения LPDDR5X компании.
Предполагается, что массовое производство новой памяти LPDDR5X 10,7 Гбит/с начнется во второй половине текущего года, что означает, что мы можем ожидать начало появления этих новых чип-модулей в мобильных устройствах к концу 2024 года.